第三代半導(dǎo)體研發(fā)加速
本報(bào)綜合消息 北京市副市長(zhǎng)、秘書(shū)長(zhǎng)靳偉20日表示，在補(bǔ)足短板方面，著力攻克重要領(lǐng)域關(guān)鍵的核心技術(shù)。
一是推動(dòng)集成電路產(chǎn)研一體突破。
二是開(kāi)展關(guān)鍵新材料的技術(shù)攻關(guān)，加速第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)過(guò)程。
三是聚焦通用型的關(guān)鍵零部件，研發(fā)突破部分儀器的關(guān)鍵零部件。
四是推動(dòng)高端儀器設(shè)備研發(fā)實(shí)現(xiàn)突破，支持形成一批服務(wù)于重大的科技基礎(chǔ)設(shè)施的定制化的科學(xué)儀器和設(shè)備。
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