光刻機板塊強勢拉升 機構與中小戶紛紛搶籌
9月17日,光刻機板塊強勢拉升。根據Wind數據統計,當日光刻機指數(8841237)漲幅為4.24%。其中,行業龍頭中芯國際放量上漲近7%,盤中股價創歷史新高。
板塊內多數個股上漲,其中,波長光電“20CM”漲停,福晶科技、奧普光電漲停,蘇大維格上漲14.66%,茂萊光學上漲6.60%,國林科技上漲5.28%。
從消息面來看,近日,有知情人士透露,中芯國際或正在測試由上海初創公司宇量昇制造的深紫外光刻機,這款機器采用浸沒式技術,類似于阿斯麥采用的技術。2025年8月8日,上海芯上微裝科技股份有限公司舉辦了第500臺步進光刻機交付儀式,充分展現了其作為國產步進光刻機領軍企業的自主創新實力。
光刻是晶圓制造中最重要的技術之一,其核心設備光刻機直接決定晶圓制造產線的技術水平,同時也是晶圓制造工藝中價值量和技術壁壘最高的設備之一。
根據SEMI數據,全球半導體制造行業預計將保持強勁增長勢頭,預計從2024年底到2028年,產能將以7%的復合年增長率增長,達到創紀錄的每月1110萬片晶圓。推動這一增長的關鍵因素是先進工藝產能(7nm及以下)的持續擴張,預計將從2024年的每月85萬片晶圓增長到2028年的歷史新高140萬片晶圓,增長約為69%,復合年增長率約為14%,是行業平均水平的兩倍。
此外,AI大模型特性需要大量高強度的并行計算,GPU具有最強的計算能力同時具備深度學習等能力,是最適合支撐人工智能訓練和學習的硬件。14nm以下芯片需要DUV(ArFi)及EUV光刻機完成,其中,臺積電N7及N7P工藝表明用DUV(ArFi)光刻機可以做出7nm制程;比利時微電子研究中心(IMEC)曾發布浸潤式光刻機借助八重曝光做5nm的技術方案。
華金證券分析師熊軍認為:“光刻機技術是半導體工藝中的關鍵,決定了芯片晶體管尺寸大小,直接影響芯片性能和功耗。自美國對中國半導體制裁起,光刻機對國內半導體行業發展及集成電路產業鏈自主可控重要性日益凸顯。建議關注光刻機產業鏈環節中技術積累較深或直接、間接進入阿斯麥、上海微電子等供應鏈環節廠商。”
根據Wind數據統計,9月17日,光刻機板塊資金呈現顯著流入態勢,板塊整體主力資金凈流入13.98億元,凈流入率5.06%,成交額為276.19億元,較前一交易日放量77.2%,資金參與度大幅提升。從近期趨勢看,板塊結束了此前連續四日的資金凈流出(9月11日至16日累計凈流出10.84億元),單日凈流入規模創9月以來新高,顯示市場對板塊關注度顯著升溫。
從資金層級看,板塊機構及大單資金合計凈流入114.60億元,同時,中戶與小單資金凈流入17.05億元,顯示專業機構與中小投資者對板塊行情形成共識。分時段來看,早盤主力資金搶籌明顯,開盤階段凈流入10.95億元,占全天凈流入額的78.4%;尾盤資金出現小幅分歧,凈流出7.84億元,反映部分資金選擇獲利了結。記者 劉揚
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