周四，半導體板塊延續強勢，繼周三大漲3.83%后，半導體板塊再度上漲0.82%。受到板塊走強帶動，士蘭微（600460）1日午后放量上沖直至漲停。14時37分左右，有部分獲利盤涌出，該股漲停板被打開，隨后股價展開強勢震蕩。截至收盤，該股上漲7.94%，報收23.26元/股，成交額為28.6億元，換手7.56%。記者注意到，士蘭微股價在7月3日最低探至16.32元/股，隨后震蕩走高，該股1日盤中最高摸至23.71元/股，一個月左右時間，該股累計漲幅達45.28%。      

資料顯示，士蘭微的主營業務是電子元器件的研發、生產和銷售，產品主要有集成電路、分立器件、發光二極管等。2023年，公司超結MOSFET（超結結型場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）器件、IGBT大功率模塊（PIM）等產品增長較快，在IGBT、SiC（碳化硅）等產品研發上取得進展。汽車領域，公司自主研發的V代IGBT和FRD（快恢復二極管）芯片的電動汽車主電機驅動模塊，已在國內外多家客戶實現批量供貨。家電及工業領域，公司IPM模塊持續向相關客戶的各類變頻產品滲透。值得一提的是，2023年，國內多家主流的白電整機廠商在變頻空調等白電整機上使用了超過1億顆士蘭IPM模塊，較上年同期增加38%。

記者注意到，2024年一季度，公司車規級PIM功率模塊、IGBT器件、SiC-MOS器件等產品出貨量大幅增長，公司毛利率為22.10%，環比增長3.18個百分點。公司日前披露了中報業績預告，預計上半年實現凈利潤-3000萬元至-2000萬元，同比減少虧損1122萬元至2122萬元；扣非后的凈利潤為12189萬元到13189萬元。

長城證券分析師鄒蘭蘭認為：“從技術上看，截至2023年底，公司已完成V代IGBT和FRD芯片的技術升級，性能明顯提升，應用于新一代的降本模塊和高性能模塊，已送用戶評測。公司還完成了多個電壓平臺的RC-IGBT產品的研發，今后將在汽車主驅、儲能、風電、IPM模塊等領域中推廣使用。公司還完成第Ⅲ代平面柵SiC-MOSFET技術的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。”長城證券預計公司2024年至2026年凈利潤分別為3.09億元、5.22億元、7.15億元，維持“增持”的投資評級。

對于士蘭微未來的看點，華鑫證券一分析師表示，士蘭微正加快推進“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產線”項目的建設。截至目前，士蘭明鎵已形成月產6000片6吋SiC-MOS芯片的生產能力，預計今年年底將形成月產12000片6吋SiC-MOS芯片的生產能力。2024年，成都士蘭公司將增加生產設備投入，進一步擴大汽車級和工業級功率模塊的封裝能力。截至2023年年底，士蘭集科已具備月產2.5萬片IGBT芯片的生產能力，士蘭集科今年將加快車規級IGBT、MOSFET等功率芯片產能釋放，并加大車規級模擬集成電路芯片工藝平臺的建設投入，從而改善盈利水平。記者 湯曉飛