在近日舉辦的CESC2024第二屆中國(guó)國(guó)際儲(chǔ)能大會(huì)上，許多儲(chǔ)能企業(yè)帶來(lái)了旗下最新的儲(chǔ)能系統(tǒng)產(chǎn)品。在一眾“大家伙”之間，揚(yáng)杰科技(300373)的展位里卻擺放著一個(gè)個(gè)小器件——全系列IGBT和SiC產(chǎn)品。

IGBT譯為“絕緣柵雙極型晶體管”，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件；SiC則是一種碳硅化合物，是第三代半導(dǎo)體的主要材料，由于在耐高壓、耐高頻、耐高溫方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，SiC能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

望著櫥窗里的展品，揚(yáng)杰科技此次展會(huì)的相關(guān)負(fù)責(zé)人劉女士介紹道，這些器件的應(yīng)用場(chǎng)景非常廣，比如新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、儲(chǔ)能等，需要用電的地方基本都可能涉及到，它們?cè)谄渲兴缪莸慕巧且粋€(gè)過(guò)渡的載體，起到控制連接的關(guān)鍵作用。

而作為第三代半導(dǎo)體的SiC，其應(yīng)用在光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域有著不少優(yōu)勢(shì)，東方證券在研報(bào)中指出，相比于硅基IGBT，SiC MOS具有更低的導(dǎo)通損耗、更低的開(kāi)關(guān)損耗、無(wú)電流拖尾現(xiàn)象、高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)，并且可以在高溫等惡劣的環(huán)境中工作，有利于提高光伏逆變器使用壽命。

據(jù)揚(yáng)杰科技披露，公司現(xiàn)已開(kāi)發(fā)上市G1、G2系SiC MOS產(chǎn)品，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)批量出貨。

“最近兩年公司的發(fā)展重心就是IGBT和SiC，像這兩塊芯片的話，是有一定技術(shù)壁壘的。”提及研發(fā)，該負(fù)責(zé)人坦言SiC的研發(fā)成本很高，因?yàn)槠鋬r(jià)格本身就不便宜，而且在技術(shù)上還存在一些瓶頸要突破。

技術(shù)攻關(guān)如此不易，那產(chǎn)品研發(fā)出來(lái)后將為公司帶來(lái)什么？“如果我們能研發(fā)出功率更大、體積更小的SiC產(chǎn)品，它在市場(chǎng)的替代率會(huì)很強(qiáng)。”該負(fù)責(zé)人還透露，“針對(duì)SiC產(chǎn)品，公司今年跟業(yè)內(nèi)部分企業(yè)有達(dá)成合作，相當(dāng)于1+1＞2，所以今年的產(chǎn)品線會(huì)更加豐富一些。”

記者 陳陟  實(shí)習(xí)記者 黃琴琴