東微半導(688261)成立于2008年，是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術驅動型半導體公司，主營高壓超級結和中低壓屏蔽柵MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)，自主創(chuàng)新IGBT(絕緣柵極型功率管)拓寬產品線，產品用于充電樁、5G基站電源、車載OBC等領域，下游客戶包括華為、比亞迪、英飛源等。據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2020年公司占全球高壓超級結市場的份額為3.8%，占中國高壓超級結市場份額約為8.6%，為國內龍頭。公司2018-2020年營收CAGR達42%，2021年實現(xiàn)營收同比增長153.28%。

功率半導體下游應用廣泛，國產替代空間大。隨著國民經濟的持續(xù)發(fā)展，功率半導體的應用領域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場，國內市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。其中MOSFET器件在下游的消費電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子等領域占據(jù)了主要的市場份額，下游應用不斷拓寬。與此同時，全球MOSFET器件市場基本被海外廠商占據(jù)，2019年前十大公司市場占有率達到74.42%，國產替代具有廣闊的發(fā)展空間。

基于多年的技術優(yōu)勢積累、產業(yè)鏈深度結合能力以及優(yōu)秀的客戶創(chuàng)新服務能力，公司已成為國內領先的高性能功率器件廠商之一，是少數(shù)能在超級結MOSFET領域突破海外技術壟斷的本土公司之一，還是國內少數(shù)具備器件創(chuàng)新結構能力的公司。公司推出的GreenMOS系列超級結MOSFET產品打破了國外廠商在充電樁功率器件領域的壟斷地位，技術指標與國際領先廠商相當。中低壓MOSFET與國際領先廠商差距較小，與國內廠商相比處于前列。供給側方面，受益于華虹12英寸功率產能擴充，同時與廣州粵芯、DBHitek建立合作，未來晶圓供應有所保障;需求側方面，隨著電動汽車的加速滲透，充電樁建設量穩(wěn)步增長，同時工業(yè)及通信電源領域需求上升，疊加公司MOSFET產品競爭力，預計未來國內市場份額在2020年8.6%的基礎上將進一步提升。

公司自創(chuàng)IGBT單管，性能可對標國際廠商，已有OBC等領域訂單。公司獨創(chuàng)的單管結構TGBT在不提高制造難度的前提下，提升功率密度，性能不輸國際廠商同規(guī)格產品。2021年上半年IGBT單管創(chuàng)收22.95萬元，主要來自儲能領域的深圳拓邦股份。至2021年8月，IGBT在手訂單合計約219萬元，客戶有來自車載充電機領域的英搏爾電氣、消費電源領域的迪比科電子、光伏領域的新明海科技、儲能領域的拓邦股份等，未來營收將持續(xù)增長。

創(chuàng)新產品超級硅MOSFET性能對標氮化鎵，有望成為第二成長曲線。公司的超級硅MOSFET擁有高速開關以及低動態(tài)損耗的特性，在硅基制造工藝上進一步提升了器件的開關速度，在主流快速充電器應用中能獲得接近氮化鎵(GaN)功率模塊的效率和功率密度，但生產成本更低僅為同效率氮化鎵器件的20%，目前已有18種型號進入量產。

天風證券表示，公司超級結MOSFET受益汽車電動化、高性能充電器等需求快速發(fā)展;超級硅MOSFET性能對標氮化鎵器件，有望開啟第二增長曲線;TGBT、Hybrid-FET等創(chuàng)新型器件持續(xù)推動產業(yè)化，未來發(fā)展可期。預計2021-2023年營收分別為7.81億元、11.18億元、15.94億元，凈利潤分別為1.43億元、2.02億元、3.01億元。據(jù)wind一致性預測，可比公司2022年平均PE估值為76.7倍，給予公司75倍PE估值，對應2022年2.02億元凈利潤，市值為151.2億元，對應目標價224.4元/股，首次覆蓋給予買入評級。 記者 劉希瑋